Mg掺杂的AlGaN的MOCVD生长
本文对利用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)方法制备的Mg掺杂AlGaN薄膜进行了研究。根据Raman光谱对Mg掺杂AlGaN薄膜应力和X射线摇摆曲线对晶体质量的研究表明引入高温AlN插入层能有效调节应力,并提高薄膜质量,降低位错密度。实验发现在保持Mg掺杂量不变的情况下,随着Al组分的上升,材料中出现大量岛状晶核,粗糙度变大,晶体质量下降,由三维生长向二维生长的转变更加困难。同时研究发现Al组分的上升和Mg掺杂量的增加都会使得螺位错密度上升；Mg的掺杂对于刃位错有显著影响,而Al组分的上升对刃位错无明显影响。经过退火温度对空穴浓度影响的研究,发现对于P型Al0.1Ga0.9N样品,900℃为比较理想的退火温度。
半导体薄膜 薄膜生长 汽相淀积 汞掺杂量 岛状晶核
姚靖 施毅 郑有炓 谢自力 刘斌 韩平 张荣 江若琏 刘启佳 徐峰 龚海梅
江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京大学物理系,江苏,南京,210093 中国科学院上海技术物理所,上海,200083
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2007-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）