高Al组分N-AlxGa1-xN材料的欧姆接触
本研究基于各层金属间在快速热退火时容易合金化及Ti,Al易被氧化的特点,在高Al组分N-AlxGa1-xN(x≥0.45)材料上溅射生长多层金属Ti/Al/Ti/Au,并且变化Ti,Al比例以及改变退火温度和时间,得到了金属与高Al组分N-AlxGa1-xN(x≥0.45)材料间的欧姆接触,由传输线模型方法测试得比接触电阻为4.9×10-2 Ω·cm2。实验中用到的样品为P(Al0.45Ga0.55N)/i(Al0.45Ga0.55N)/N-Al0.63Ga0.37N多层结构的材料。最后,利用伏安特性和俄歇电子能谱深度分布(AES)研究金属与高Al组分的材料之间形成欧姆接触的原因。
半导体材料 半导体制备 溅射生长 欧姆接触
王玲 许金通 陈俊 陈杰 张燕 李向阳
中国科学院上海技术物理所传感技术国家重点实验室,上海,200083
国内会议
桂林
中文
967-970
2007-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）