湿法化学腐蚀在GaN基材料中的应用
本文计算了AlGaN材料在不同温度KOH水溶液中的湿法腐蚀速率,并研究了湿法化学腐蚀GaN基材料对消除干法刻蚀所引入损伤的作用。为了对比湿法化学腐蚀消除干法刻蚀损伤的效果,分别利用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和俄歇电子能谱(AES)对比Ar+干法刻蚀后经湿法化学腐蚀处理和未经处理的表面形貌及组分,并制作了单元可见盲器件,测试其反向漏电流,发现在干法刻蚀后引入湿法化学腐蚀工艺可使器件的反向漏电流得到较大程度的减小。
氮化镓半导体 化学腐蚀 干法刻蚀 反向漏电
陈杰 许金通 王玲 李向阳 张燕
中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海,200083
国内会议
桂林
中文
961-963
2007-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）