氮化镓基雪崩光电二极管的研制
本文回顾了氮化镓基雪崩光电二极管的发展现状,从制作高响应率、低漏电流的雪崩器件出发,详细阐明了制作氮化镓基雪崩光电二极管的工艺过程,特别考虑了干法刻蚀带来的物理损伤以及后续的消除损伤处理。由于雪崩器件对于材料的质量具有较苛刻的要求,因此特别对材料进行了必要的筛选。通过一系列工艺上的改进,成功地制作出国内第一只氮化镓基雪崩光电二极管,器件的光敏面直径是40μm;并对其进行了光电性能测试。测试结果表明,当反向偏压是58V时,漏电流大约是1.18×10-7 A,雪崩增益是3。
光电器件 光电二极管 雪崩二极管 氮化镓材料
许金通 陈俊 陈杰 王玲 储开慧 张燕 李向阳 龚海梅 赵德刚
中国科学院上海技术物理所传感技术国家重点实验室,上海,200083 中国科学院半导体研究所,北京,100083
国内会议
桂林
中文
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2007-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）