微波反射光电导衰退技术在InGaAs台面结器件工艺中的应用
微波反射光电导衰退法是一种非接触式的半导体材料少子寿命表征手段。本文用微波反射光电导衰减法测试了台面InGaAs光电器件制备中各单项工艺(刻蚀、腐蚀、硫化)中InCaAs样品的少子寿命分布。结果表明,离子刻蚀使得样品少子寿命降低,非均匀性增大,而湿法腐蚀能够在一定程度上修复离子刻蚀带来的损伤,损伤区域中心的少子寿命增大,寿命分布也更加均匀,硫化钝化能够进一步提高损伤区域少子的寿命,却使寿命分布均匀性变差。可见,微波反射光电导衰减法可以简单无损地得到样品少子寿命分布,对工艺改进具有重要的指导意义。
红外器件 台面测试 少子寿命 微波反射 光电导衰退法
吴小利 张可峰 唐恒敬 韩冰 李雪 龚海梅
中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海,200083;中国科学院研究生院,北京,100039 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海,200083
国内会议
桂林
中文
951-953
2007-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）