利用LBIC技术对InGaAs平面结器件结区特性的研究

摘要：

室温铟镓砷(InGaAs)焦平面技术在航天工业上的应用越来越广泛,铟镓砷(InGaAs)焦平面列阵中探测器的尺寸正不断减小,这使得常规工艺形成的光伏探测器,其有效光敏元面积扩大的问题越来越突出。 本文利用激光诱导电流检测(LBIC)系统测试了平面结InGaAs(P-I-N)探测器芯片的光敏元,证实了有效光敏面扩大的存在。从实验结果看,掺杂离子的横向扩散和结区的侧向收集效应,是平面工艺形成的光伏器件光敏元面积扩大的主要因素,并利用得到的实验数据拟合求出了器件少子的扩散长度。

关键词： 红外探测 焦平面列阵 铟镓砷薄膜 光敏感区

作者: 张可锋 吴小利 唐恒敬 乔辉 贾嘉 李雪 龚海梅

作者单位: 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海,200083;中国科学院研究生院,北京,100039 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海,200083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第三届全国先进焦平面技术研讨会

会议地点: 桂林

会议语种:中文

页码: 947-950

在线出版日期: 2007-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）