(NH4)2S硫化处理后InGaAs表面特性的研究

摘要：

本研究通过(NH4)2S湿法硫化InGaAs表面,利用微波反射光电导衰减法测量了经(NH4)2S硫化后的少数载流子寿命。结果显示,经过硫化处理后的InGaAs表面复合速度接近于理想的InP/InGaAs双异质结材料的界面复合速度。为了更好地表征钝化效果,在硫化后的InGaAs表面淀积SiNx制备了MIS结构,通过高低频C-V测试得出两者的界面态密度为8.5×1010 cm-2·eV-1。

关键词： 红外材料 硫化处理 材料钝化 铟镓砷薄膜

作者: 韩冰 王妮丽 唐恒敬 龚海梅

作者单位: 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海,200083;中国科学院研究生院,北京,100039 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海,200083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第三届全国先进焦平面技术研讨会

会议地点: 桂林

会议语种:中文

页码: 944-946

在线出版日期: 2007-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）