硅基HgCdTe光伏器件的暗电流特性分析

摘要：

本研究对硅基HgCdTe中波器件进行了变温电流电压特性的测试和分析。测量温度从30K到240K,得到R0对数与温度的1000/T的实验曲线及拟合结果，同时选取60K、80K及110K下动态阻抗R与电压V的曲线进行拟合分析。研究表明在我们器件工作的温度点80K,零偏压附近主要的电流机制是产生复合电流和陷阱辅助隧穿电流。要提高器件的水平,必须降低陷阱辅助隧穿电流和产生复合电流对暗电流的贡献。

关键词： 红外器件 汞镉碲薄膜 暗电流特性 隧穿电流

作者: 岳婷婷 殷菲 胡晓宁

作者单位: 中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083;中国科学院研究生院,北京,100039 中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第三届全国先进焦平面技术研讨会

会议地点: 桂林

会议语种:中文

页码: 931-934

在线出版日期: 2007-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）