HgCdTe干法刻蚀的掩模技术研究

摘要：

本文阐述了HgCdTe微台面列阵ICP干法刻蚀掩模技术研究的初步结果。采用常规光刻胶作为HgCdTe材料的ICP干法刻蚀掩模，扫描电镜结果发现,由于刻蚀的选择比低,所以掩模图形退缩严重,刻蚀端面的平整度差,台面侧壁垂直度低。因此采用磁控溅射生长的SiO2掩模进行了相同的HgCdTe干法刻蚀。结果发现,SiO2掩模具有更高的选择比和更好的刻蚀端面。但是深入的测试表明,介质掩模的生长对HgCdTe表面造成了电学损伤。最后通过优化生长条件,获得了无损伤的磁控溅射生长SiO2掩模技术。

关键词： 红外材料 汞镉碲薄膜 刻蚀掩模 干法刻蚀 磁控溅射

作者: 周文洪 叶振华 胡晓宁 丁瑞军 何力

作者单位: 中国科学院上海技术物理研究所材料与器件研究中心,上海,200083;中国科学院研究生院,北京,100039 中国科学院上海技术物理研究所材料与器件研究中心,上海,200083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第三届全国先进焦平面技术研讨会

会议地点: 桂林

会议语种:中文

页码: 928-930

在线出版日期: 2007-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）