Si基HgCdTe材料的电学特性研究

摘要：

本文研究了Si基分子束外延HgCdTe原生材料、P型退火材料和N型退火材料的霍耳参数、少子寿命等材料电学特性。研究发现,晶格失配导致Si基HgCdTe材料原生材料和N型退火材料迁移率低;Si基原生HgCdTe材料属于高补偿材料,但高补偿性并非材料的固有特性,通过P型退火可使材料变为低补偿材料,迁移率得到提高。采用分子束外延方法制备的3in Si基HgCdTe材料电学性能与GaAs基HgCdTe材料相比,性能还有待提高。改进分子束外延生长工艺提高HgCdTe质量,从而进一步提高迁移率,是Si基外延研究的关键。

关键词： 红外材料 汞镉碲薄膜 少子寿命 变温霍耳

作者: 魏青竹 吴俊 巫艳 陈路 于梅芳 王伟强 傅祥良 何力

作者单位: 中国科学院上海技术物理研究所材料器件中心,上海,200083;中国科学院研究生院,北京,100039 中国科学院上海技术物理研究所材料器件中心,上海,200083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第三届全国先进焦平面技术研讨会

会议地点: 桂林

会议语种:中文

页码: 919-923

在线出版日期: 2007-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）