束源杂质引发的MBE HgCdTe表面缺陷
本文研究了利用GaAs作为衬底的HgCdTe MBE薄膜的表面缺陷,发现其中一类缺陷与Hg源中杂质有关。采用SEM对这类缺陷进行正面和横截面的观察,并采用EDX对其正面和横截面进行成分分析，设计了两个实验:其一,在CdTe/GaAs衬底上,低温下用Hg源照射20min,再在其上继续高温生长CdTe;其二,在CdTe/GaAs衬底上,一直用Hg源照射下高温生长CdTe.两个实验后CdTe表面都出现与HgCdTe表面相比在形状和分布上类似的表面缺陷,采用光学显微镜和SEM对CdTe表面缺陷进行了观察,通过CdTe表面缺陷和HgCdTe表面缺陷的比较,我们证实了这类表面缺陷的成核起源于Hg源中杂质。
红外材料 MBE薄膜 薄膜缺陷 汞源杂质
傅祥良 王伟强 于梅芳 乔怡敏 魏青竹 吴俊 陈路 巫艳 何力
中国科学院上海技术物理研究所材料器件中心,上海,200083;中国科学院研究生院,北京,100039 中国科学院上海技术物理研究所材料器件中心,上海,200083
国内会议
桂林
中文
915-918
2007-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）