HgCdTe/CdZnTe晶格失配与X光衍射貌相的关系研究
本文采用富Te水平推舟液相外延工艺在CdZnTe衬底上生长了HgCdTe外延薄膜，研究了外延薄膜/衬底晶格失配度、X光衍射貌相、红外焦平面器件探测率三者之间的关系。对于HgCdTe外延层的X光衍射貌相我们将其大致分为五类,分别是Crosshatch貌相、混合貌相、均匀背景貌相、Mosaic貌相以及由衬底质量问题引起的沟壑状貌相,采用Crosshatch貌相和混合貌相材料所制备的红外焦平面器件,平均来说其探测率(D*)较高。X射线双轴衍射的实验结果表明,当外延层与衬底的晶格失配度为～0.03％时,外延层会呈现明显的Crosshatch貌相；而当失配度减小时,会逐渐呈现出混合貌相、均匀背景貌相、直至失配度为负值时呈现Mosaic貌相。因此,对于特定截止波长的HgCdTe焦平面器件,可以通过控制HgCdTe/CdZnTe之间的失配,生长出符合我们要求的貌相的碲镉汞外延材料,从而来提高焦平面器件的性能。
红外材料 焦平面器件 碲镉汞薄膜 晶体生长 液相外延 晶格失配
焦翠灵 赵守仁 陈新强 魏彦锋
中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083;中国科学院研究生院,北京,100039 中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083
国内会议
桂林
中文
910-914
2007-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）