Y2O3涂层的MOCVD法制备工艺

摘要：

采用MOCVD法,通过金属有机先驱体Y(TMHD)3与O2反应在石英或CVD-SiC基片上制备Y2O3涂层,探索了制备工艺对沉积结果的影响.结果表明,先驱体气相浓度对Y2O3涂层生长方式和涂层与基片的结合强度有很大影响;沉积温度在600℃～700℃范围内,随着温度的升高涂层致密度提高,空洞缺陷减少.

关键词： 氧化钇 CVD-SiC基片 化学气相沉积 沉积温度

作者: 付正 张立同 成来飞 龚磊 何国梅 罗立志 夏海平

作者单位: 西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室 厦门大学化学化工学院

会议类型: 国内会议

会议名称: 2007年航空装备及先进制造技术国际学术会议

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 16-19

在线出版日期: 2007-06-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）