高压静电场诱变黑曲霉的实验研究

摘要：

探讨了直流高压静电场对黑曲霉存活率、酶活、诱变率、菌落形态和菌体生长速度的影响.结果表明:高压直流静电场对黑曲霉A3的作用效果极其显著.在同一场强作用下,随着处理时间的增长,相对存活率单调下降;在同一处理时间作用下,随着场强的增大,相对存活率呈非单调性变化.在场强为4.4 kV/cm,处理时间为2 min的条件下,相对存活率最高达到237.5％,正变率最高达到15％,酶活比对照提高15％;在场强为5.6 kV/cm,处理时间为2 min的条件下,相对存活率达到125％,正变率达到8％,酶活最高,比对照提高24％.经高压静电场处理的菌落形态大而饱满,菌体生长速度明显加快.

关键词： 高压静电场 黑曲霉 存活率 诱变效应 菌体生长

作者: 鲍秀珍 梁运章 白爱枝

作者单位: 内蒙古大学,离子束生物工程自治区重点实验室,内蒙古,呼和浩特,010021;内蒙古医学院,物理系,内蒙古,呼和浩特,010021 内蒙古大学,离子束生物工程自治区重点实验室,内蒙古,呼和浩特,010021

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国物理学会第14届静电学术年会

会议地点: 苏州

会议语种:中文

页码: 73-77

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）