单片微控制器系统的静电放电敏感性研究

摘要：

分别以2种常用的微控制器芯片80C196和AT89C51为核心设计的2种单片微控制器系统做为目标测试板,利用静电放电电磁脉冲分别对这2种系统进行静电放电效应实验研究,并对其失效机理进行分析.实验结果表明，80C196单片微控制器系统对静电放电比89C51单片微控制器系统敏感,单片机系统在静电放电电磁脉冲作用下出现死机、跳转、重启动、RAM内容改写等功能失效现象.

关键词： 单片机系统 静电放电 电磁脉冲敏感性 放电效应 失效机理

作者: 宋学君 张希军 刘尚合

作者单位: 军械工程学院,静电与电磁防护研究所,河北,石家庄,050003;河北师范大学,物理科学与信息工程学院,河北,石家庄,050016 军械工程学院,静电与电磁防护研究所,河北,石家庄,050003

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国物理学会第14届静电学术年会

会议地点: 苏州

会议语种:中文

页码: 630-633

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）