气相提拉法生长CdSe单晶体

摘要：

CdSe单晶体是一种新型性能优异的室温核辐射探测器半导体材料，实验在双温区炉中采用垂直无籽晶气相提拉法生长出尺寸为015mm×40mm，电阻率在109Ω.cm量级的CdSe单晶。对生长出晶锭的解理晶片通过XRD、IR和UV测试，结果显示：解理面为(100)低指数面，硒化镉晶体完整性好，红外透过率＞62％，UV曲线无杂质能级，表明用改进的提纯工艺和双温区炉中提拉生长出的硒化镉单晶，能有效控制成分偏析和杂质缺陷且生长出的晶体具有较高的品质。

关键词： 硒化镉 核辐射探测器 无籽晶 气相提拉法 红外透过 紫外吸收 半导体材料

作者: 叶林森 赵北君 朱世富 何知宇

作者单位: 中国工程物理研究院,四川 绵阳 621900 四川大学材料系 四川 成都 6100641 四川大学材料系 四川 成都 6100641

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国核学会核材料分会2007年度学术交流会

会议地点: 四川江油

会议语种:中文

页码: 61-63

在线出版日期: 2007-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）