碳化硅-氧化铝陶瓷的超高压烧结研究

摘要：

采用低温超高压(LT-HP)技术在4.5Gpa/1250℃/20min工艺条件下制备了添加不同Al2O3助烧结剂量的纳米碳化硅(SiC)陶瓷，研究了烧结的SiC陶瓷的物相组成、微观结构、显微硬度等。结果表明：Al2O3是有效的低温烧结助剂，LT-HP工艺下添加2％Al2O3(质量百分数，后同)即可使SiC陶瓷全致密化；随着Al2O3含量的增加显微硬度有所提高；烧结体致密无裂纹及孔隙。

关键词： 超高压烧结 氧化铝 碳化硅陶瓷 纳米陶瓷

作者: 谢茂林 罗德礼 鲜晓斌 冷邦义 谢东华 鲁伟员 范辉

作者单位: 表面物理与化学国家重点实验室,四川绵阳718信箱35分箱,621907 中国工程物理研究院,绵阳市919信箱71分箱,621900 四川艺精超硬材料有限公司,四川江油,621700

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国核学会核材料分会2007年度学术交流会

会议地点: 四川江油

会议语种:中文

页码: 30-32

在线出版日期: 2007-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）