NH<,3>-MBE生长高质量GaN电子材料

摘要：

利用改造的国产GSMBE系统和NH<,3>-MBE技术，在C面蓝宝石上外延出了高质量的GaN材料，其室温电子迁移率达300cm<”2>/Vs，相应的背景电子浓度为2x10<”17>cm<”3>。X射线(0002)衍射摇摆曲线半高宽为6 arcmin。在此基础上外延的GaN/AIN极化感应二维电子气材料室温和低温(77K)的电子迁移率分别达到670cm<”2>/Vs和1700cm<”2>/Vs。

关键词： NH<,3>-MBE技术 GaN电子材料 C面蓝宝石 电子迁移率

作者: 孙殿照 王军喜 王晓亮 刘宏新

作者单位: 中国科学院半导体所材料中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第七届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 34～36

在线出版日期: 2000-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）