反应器内Taylor涡胞结构的数值研究
采用CFD技术对化学反应器内的Taylor涡胞结构进行了数值模拟，研究了在不同Re数条件下Taylor涡胞结构特点及其生长方式受Re数的影响规律。研究结果表明，随着Re数的增加，Taylor涡胞先从上下两端部产生，并且底部固壁端Taylor涡胞的生成总要先于顶部自由面端部，随后Taylor涡胞由两端逐步向中心生长，直至系统的Re大于临界Re数后，整个轴向间隙内均充满Taylor涡胞；轴向Taylor涡胞的强度并不一致，下端部固壁附近Taylor涡胞强于顶部自由面附近的Taylor涡胞，而中心位置的涡胞强度最弱。
化学反应器 Taylor涡胞 涡胞结构 数值模拟
童正明 王企鲲
上海理工大学动力工程学院,上海 200093
国内会议
南京
中文
126-130
2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）