常压MOCVD制备硫化镉薄膜的研究

摘要：

采用常压单源MOCVD法在玻璃基片上制备了CdS薄膜，并利用XRD、紫外-可见光谱及SEM对薄膜进行了结构及光学性能的分析。主要讨论了衬底温度及退火对薄膜结构、透光性能和光学带隙的影响。不同衬底温度退火后得到的CdS薄膜均为高度(002)择优取向的单一六方相结构且透光率较高，光学带隙接近块材。

关键词： 硫化镉薄膜 玻璃基片 光学性能 衬底温度 薄膜结构

作者: 董东 刘孝波 陈志运 尚承伟 胡文成

作者单位: 电子科技大学微电子与固体电子学院 四川 成都 610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 四川省电子学会2007年学术年会

会议地点: 四川绵阳

会议语种:中文

页码: 453-458

在线出版日期: 2007-06-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）