使用平面工艺探测器探测高能粒子
在空间环境探测中，需要探测MeV量级的电子。高能电子的穿透能力较强，需要采用较厚的探测器进行探测。通常采用锂漂移型探测器.由于锂漂移型探测器有噪声大、不稳定等弱点，所以我们在新一代仪器上采用了新平面工艺探测器——离子注入型(PIN)探测器.但是，由于受目前工艺限制，PIN探测器产品的厚度还不能达到要求，因而我们采用探测器并联方法来增加厚度.本文通过对该方案进行的实验进行分析，以证明其可行性。
空间高能电子探测 半导体探测器 离子注入型探测器 高能粒子
施伟红 陈鸿飞 邹鸿 邹积清 田大宇 宁宝俊 张录
北京大学 地球与空间科学学院空间物理与应用技术研究所 北京大学 微电子所 北京 100871
国内会议
湖南张家界
中文
374-377
2007-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）