磁控溅射制备硅铝阻隔膜的研究

摘要：

采用磁控溅射技术以10％Si～90％Al合金为靶材,通入O2将Si氧化成SiO2,Al氧化成Al2O3,在普通PET薄膜表面制备具有高阻隔性无机阻隔薄膜层,以增加其阻隔性.传统的磁控溅射法制备SiO2膜工艺,大多采用射频溅射法,但其成本较高,效率较低,无法充分满足大面积工业化镀膜生产的需要。而采用10％Si～90％Al合金不仅可以实现直流溅射工艺,而且测量结果表明,薄膜的阻隔性得到大幅度提高.

关键词： 直流反应磁控溅射法 SiO2 Al2O3薄膜 硅铝阻隔膜 阻隔性能 包装材料

作者: 霍纯青 陈强 孙运金 岳蕾 张跃飞 刘福平

作者单位: 北京印刷学院印刷包装材料与技术北京市重点实验室,北京,102600

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国包装工程学术会议暨包装动力学专委会成立20周年大会

会议地点: 郑州

会议语种:中文

页码: 40-42

在线出版日期: 2007-08-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）