部分耗尽SOI MOSFET总剂量效应与偏置状态的关系

摘要：

实验表明SOI MOSFET掩埋氧化层中的总剂量辐射效应与辐射过程中的偏置状态有关.对诱发背沟道泄漏电流的陷阱电荷进行了研究.建立一个数值模型来模拟不同偏置下陷进电荷的建立,它包括辐射产生的载流子复合和俘获的过程.模拟结果与实验结果相符,解释了总剂量辐射效应受偏置状态影响的机理.

关键词： 绝缘体硅 总剂量辐射效应 背沟道 掩埋氧化层 数值模型 载流子复合

作者: 俞文杰 王茹 张正选 钱聪 贺威 田浩 陈明

作者单位: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050

会议类型: 国内会议

会议名称: 第五届粒子物理、核物理和宇宙学交叉学科前沿问题研讨会

会议地点: 西宁

会议语种:中文

页码: 819-822

在线出版日期: 2006-08-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）