ICP刻蚀HgCdTe表面的微区XPS分析
文章将ICP刻蚀技术应用于刻蚀HgCdTe,使用微区X射线光电子光谱学(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)等表面分析技术研究了ICP各工艺参数,包括ICP功率、气体成分与配比、腔体压力等对刻蚀表面形貌、刻蚀后表面成分、聚合物形成的影响.XPS分析结果发现,使用光刻胶作掩模时,刻蚀气体CH4会与光刻胶发生反应,生成物可能为C6H5(CH3).如果腔体压力较高,生成物不能及时被带走,就会附着在样品表面上,使样品表面发黑;当腔体压力较低时,生成物被及时带走,则样品表面光亮,无聚合物残留.光刻胶也会与H2发生反应,生成多种含C有机物.SiO2作掩模时,在一定的条件下,CH4会与SiO2或者真空硅脂发生反应,生成聚脂薄膜.
刻蚀 HgCdTe 光电子光谱学 扫描电镜
郭靖 叶振华 胡晓宁 汤丁亮 王水菊
上海技术物理研究所,上海,200083 厦门大学分析测试中心,福建,厦门,361005
国内会议
乌鲁木齐
中文
832-834
2005-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）