碲镉汞pn结中少数载流子寿命的测量
本研究采用改进的光致开路电压衰退方法测量了不同组分Hg1-xCdxTe光伏探测器中光生少数载流子寿命。激发光源为脉冲YAG激光泵浦的光学参量产生器/放大器形成的可调谐红外脉冲激光器。为了减小结电容和串联电阻的影响,引入稳态背景光照明。用存储示波器记录pn结两端开路状态下的电压变化。从指数衰退的曲线经拟合得到开路电压的衰退时间常数,认为其反映了碲镉汞pn结中光生载流子的寿命。实验结果表明：四种组分的探测器在液氮温度下其少数载流子寿命值范围在18～407ns之间。
红外探测器 碲镉汞材料 载流子寿命 脉冲光衰退
崔昊杨 李志锋 全知觉 胡晓宁 叶振华 陆卫
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083
国内会议
大连
中文
1063-1066
2006-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）