高Al组分AlGaN的ICP干法刻蚀

摘要：

初步研究了采用Cl2/Ar/He等离子体对MOCVD生长的背照射Al0.45Ga0.55N材料的ICP干法刻蚀工艺.采用离子束溅射生长的Ni作为刻蚀掩模,刻蚀速率随ICP直流偏压的增加而增加.采用传输线模型测量了刻蚀前后AlGaN材料方块电阻的变化,分析了干法刻蚀电学损伤与直流偏压的关系.用扫描电镜(SEM)观察了不同直流偏压下刻蚀台面形貌,并对其进行了分析.

关键词： AlGaN材料 干法刻蚀 等离子体 MOCVD生长 离子束溅射

作者: 亢勇 李雪 何政 方家熊

作者单位: 传感技术国家重点实验室,中国科学院上海技术物理所,上海,200083

会议类型: 国内会议

会议名称: 首届全国先进焦平面技术研讨会

会议地点: 乌鲁木齐

会议语种:中文

页码: 885-887

在线出版日期: 2005-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）