MOCVD系统中AlN生长速率的研究

摘要：

文章研究了MOCVD系统中影响AlN生长速率的机制.我们通过在位监控曲线控制生长过程,改变了不同的生长条件,得到了AlN生长速率与生长温度、反应室压力、NH3流量、TMAl流量等生长参数的关系.实验发现,AlN生长速率与生长温度、反应室压力、NH3流量等参数之间表现出反常的依赖关系.我们认为,MOCVD系统中存在Al原子的寄生反应,导致了反常现象的发生.AlN生长速率与TMAl流量的关系进一步证明了这一点.实验结果表明,较低的生长温度、较小的反应室压力能够有效地提高AlN生长速率,同时也将有利于提高AlGaN材料中的Al组分.

关键词： MOCVD AlN 生长速率 寄生反应

作者: 赵德刚 杨辉 梁骏吾 李向阳 龚海梅

作者单位: 中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083;同济大学电信学院半导体与信息技术研究所,上海,200092 中国科学院上海技术物理研究所,上海200083

会议类型: 国内会议

会议名称: 首届全国先进焦平面技术研讨会

会议地点: 乌鲁木齐

会议语种:中文

页码: 877-879

在线出版日期: 2005-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）