AlGaN材料的MOCVD生长研究

摘要：

文章研究了AlGaN材料的MOCVD生长机制.在位监控曲线表明,AlGaN材料生长过程是由三维生长逐渐过渡到二维生长,由于Al原子表面迁移率太小,随着TMAl流量的增加,需要更长的时间才能出现二维生长,材料质量也随着Al组分的增加而下降,AlGaN的表面形貌也变差.随着TMAl流量的增加,AlGaN材料的生长速率反而下降,这是由于Al原子阻止了Ga原子参与材料生长.实验还发现,由于TMAl与NH3之间存在强烈的寄生反应,AlGaN材料中的Al组分远小于气相中的Al组分.文中简单探讨了提高AlGaN材料质量的生长方法.

关键词： AlGaN MOCVD 材料生长 寄生反应

作者: 赵德刚 杨辉 梁骏吾 李向阳 龚海梅

作者单位: 中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083;同济大学电信学院半导体与信息技术研究所,上海,200092 中国科学院上海技术物理所,上海,200083

会议类型: 国内会议

会议名称: 首届全国先进焦平面技术研讨会

会议地点: 乌鲁木齐

会议语种:中文

页码: 873-876

在线出版日期: 2005-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）