采用(211)碲锌镉衬底制备碲镉汞液相外延薄膜

摘要：

文中对(211)晶向的CdZnTe衬底进行液相外延生长HgCdTe.获得的碲镉汞液相外延材料的组分为0.30～0.33,薄膜厚度为10～15μm,表面缺陷密度为500cm-2,材料的FWHM达到24弧秒,位错腐蚀坑密度约为2×105cm-2,该材料的表面形貌与采用(111)晶向衬底的HgCdTe外延材料有较大区别.

关键词： CdZnTe衬底 HgCdTe薄膜材料 液相外延

作者: 徐庆庆 陈新强 魏彦锋 曹妩媚 赵守仁 杨建荣

作者单位: 中国科学院上海技术物理研究所,半导体材料与器件研究中心,上海,200083

会议类型: 国内会议

会议名称: 首届全国先进焦平面技术研讨会

会议地点: 乌鲁木齐

会议语种:中文

页码: 842-844

在线出版日期: 2005-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）