Si基大面积碲镉汞分子束外延研究
本文阐述了Si基碲镉汞分子束外延(MBE)的最新研究进展。用晶向偏角降低高界面应变能的方法,摸索大失配体系中位错的抑制途径,寻找位错密度与双晶半峰宽的对应关系,基本建立了外延材料晶体质量无损检测评价标准,并对外延工艺进行指导。通过上述研究,15～20μm Si基CdTe复合材料双晶半峰宽最好结果为54arcsec,对应位错密度(EPD)小于2×106/cm2,与相同厚度的GaAs/CdTe(211)双晶水平相当,达到或优于国际最好结果。获得的3in 10μm Si基HgCdTe材料双晶半峰宽最好结果为51arcsec,目前Si基HgCdTe材料已经初步应用于焦平面中波320×240器件制备。
红外探测器 Si基材料 分子束外延 双晶半峰宽
陈路 傅祥良 巫艳 吴俊 王伟强 魏青竹 王元樟 何力
中国科学院上海技术物理研究所材料器件中心,上海,200083
国内会议
大连
中文
1051-1053,1056
2006-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）