两种结构GaN基太阳盲紫外探测器

摘要：

本文分别在金属有机化学汽相沉积(MOCVD)生长的i-Al0.33Ga0.67N/AlN/n-GaN和p-Al0.45Ga0.55N/i-Al0.45Ga0.55N/n+-Al0.65Ga0.35N的异质结构上,成功研制了太阳盲区的肖特基型和PIN型紫外探测器。结果表明，Au与i-Al0.33Ga0.67N形成了较好的肖特基结,响应波长从250～290nm,峰值(286nm)响应率约为0.08A/W;PIN型紫外探测器的响应波长从230～275nm,峰值(246nm)响应率约为0.02A/W。

关键词： 紫外探测器 镓半导体 肖特基结 响应波长 太阳盲区

作者: 李雪 陈俊 何政 赵德刚 龚海梅 方家熊

作者单位: 传感技术国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083 中国科学院半导体研究所,北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第二届全国先进焦平面技术研讨会

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 1040-1042

在线出版日期: 2006-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）