背照式GaN/AlGaN p-i-n紫外探测器的制备与性能

摘要：

本文研究了p-GaN/i-GaN/n-Al0.3Ga0.7N异质结背照式p-i-n可见盲紫外探测器的制备与性能。器件的响应区域为310～365nm,最大响应率为0.046A/W,对应的内量子效率为19％,优值因子R0A达到1.77×108Ω·cm2,相应的在363nm处的探测率D*=2.6×1012cmHz1/2W-1。

关键词： 紫外探测器 半导体材料 镓化合物 器件响应

作者: 陈亮 游达 汤英文 乔辉 陈俊 赵德刚 张燕 李向阳 龚海梅

作者单位: 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海,200083 中国科学院半导体研究所,北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第二届全国先进焦平面技术研讨会

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 1036-1039

在线出版日期: 2006-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）