碲镉汞富汞热处理技术的研究
本文利用自行研制的垂直开管富汞热处理设备,研究了碲镉汞(HgCdTe)富汞热处理技术。经富汞条件下300℃热处理和后续的常规N型热处理,As掺杂的Hg1-xCdxTe分子束外延材料中的As原子已被激活成P型受主,As原子激活率同石英管封管热处理试验的结果基本一致。对包括3in Si基衬底在内的材料退火前后表面形貌进行的比较显示,样品表面形貌可得到很好的保护。研究结果表明,碲镉汞开管富汞热处理技术可用于第三代碲镉汞红外焦平面技术所需大面积多层掺杂异质外延材料的制备。
红外探测器 红外焦平面 碲镉汞材料 富汞热处理 多层掺杂
张传杰 杨建荣 吴俊 魏彦峰 何力
中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083
国内会议
大连
中文
1026-1028,1035
2006-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）