碲镉汞As掺杂技术研究
对于MBE原位掺杂,HgCdTe的N型掺杂比较容易,而P型掺杂相对来说难度比较大。作为掺杂杂质的As表现出两性掺杂行为,在富Te的条件下生长,As有很大的几率进入到阳离子位置处。而As必须进入Te位才能参与导电,表现为P型。本文采取多种方法,现已获得1016～1018cm-3掺杂水平的P型材料。在成功实现As的掺杂后,对激活退火进行了研究。结果发现,需要在汞压下经过高温退火,As原子才能占据Te位成为受主杂质。文章同时对As在碲镉汞中的扩散系数也进行了研究。
红外探测器 半导体材料 分子束外延 原位掺杂
巫艳 吴俊 魏青竹 陈路 于梅芳 王元樟 傅祥良 乔怡敏 何力
中国科学院上海技术物理研究所材料器件中心,上海,200083
国内会议
大连
中文
1023-1025
2006-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）