硅基HgCdTe面阵焦平面器件结构热应力分析
红外焦平面器件是一个多层结构,包含外延衬底、HgCdTe芯片、Si读出电路、互连In柱、粘结胶以及引线基板等,由于各层材料之间的热膨胀系数不同导致焦平面器件在工作中承受很大的热应力,热应力是导致红外焦平面器件失效的重要因素之一。本文运用一维模型以及有限元分析方法对硅基HgCdTe320×240焦平面器件结构进行热应力分析,结果表明,改变Si衬底厚度、粘结胶的杨氏模量以及基板的热膨胀系数,都会不同程度地影响HgCdTe薄膜上的受力,其中基板的热膨胀系数对HgCdTe薄膜所受的应力影响最大。通过选用合适的基板可以有效降低HgCdTe薄膜所受的应力,从而降低器件失效率。
红外探测器 红外焦平面 热应力分析 硅基板结构
胡晓宁 张海燕 李言谨 何力
中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083
国内会议
大连
中文
1020-1022
2006-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）