12.5GHz基于SiGe工艺超低噪声混频器芯片设计
本文设计了工作在12GHz基于Gilbert单元为核心的BiCMOS有源双平衡下混频器.通过采用了一种改进型的Gilbert双平衡混频器结构,这种结构可以实现射频信号功率和噪声的同时匹配以达到提高噪声性能指标的目的。该混频器的RF、LO和IF分别为12.5GHz、11.3GHz和1.2GHz,其设计基于JAZZ 60-GHz ft SiGe BiCMOS工艺.仿真结果表明该混频器的变频增益(Gc)为7.96dB、单边带噪声系数(SSB NF)为7.35dB、输入1dB压缩点(P1dB)为-14.4dBm、三阶输入截止点(IIP3)为-3.5dBm.3V供电电压下功耗为49.2mW.
射频集成电路 SiGe 混频器 低噪声 片上系统 SOC
汪金铭 韩磊
电子科技大学电子工程学院,成都,610054 电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054
国内会议
成都
中文
223-226
2006-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）