基于CMOS工艺的过温保护电路设计
在分析温度对IC芯片工作的可靠性、安全性的基础上,利用与温度成正比的PTAT电流和负温度系数的PN结电压,设计了一种可用CMOS工艺实现的过温保护电路。电路结构简单、工艺兼容性好,同时具有温度的迟滞特性可以更好的保护芯片,避免热振荡的产生.采用0.5um CMOS工艺库的HSPICE仿真结果表明,该电路对因工艺参数和电源电压变化而引起的温度迟滞特性的漂移具有较强的抑制能力。
热保护 PTAT电流 CMOS工艺 迟滞特性
王俊 邬翔
电子科技大学,成都,610054
国内会议
成都
中文
188-191
2006-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）