一种CMOS工艺带迟滞的零温度系数欠压闭锁电路

摘要：

本文采用CMOS工艺设计了一种带迟滞的零温度系数的欠压闭锁电路。与传统的采用BiCMOS工艺设计的电路相比,本文电路工艺成本低,易于实现。本文电路由带隙比较器结构产生零温度系数的阈值电压,提高了欠压闭锁电路阈值电压的精度和温度特性,同时通过反馈实现迟滞,克服了单一阈值的弱的抗干扰能力。本文设计的欠压闭锁电路可用于充电器和DC-DC转换器等电源管理芯片.

关键词： CMOS工艺 欠压闭锁 带隙比较器 温度系数 迟滞

作者: 李涛峰 廖永波

作者单位: 电子科技大学VLSI设计中心,成都,610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2006年度学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 101-104

在线出版日期: 2006-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）