一种低电源电压曲率补偿带隙基准

摘要：

本文设计了一个在0.8μm BiCMOS工艺、低于1V电源电压下的带隙基准电压源,能稳定产生0.61V的基准电压.该电路中采用了一种系统失调仅912μV的新型运算放大器；采取了T型电阻网络和加入曲率补偿支路的方法,实现了大于59dB电源抑制比和-30℃至150℃范围内11.7ppm/℃的温度系数。

关键词： 带隙基准电压源 曲率补偿 低电源电压 BiCMOS

作者: 蔡化 庞世甫 王继安 李威 龚敏

作者单位: 微电子技术四川省重点实验室,四川大学物理科学与技术学院,成都,610064 电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2006年度学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 88-92

在线出版日期: 2006-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）