一种无需常规偏置电流源的高精度CMOS带隙基准源

摘要：

本文设计了一种0.5μmCMOS工艺的高精度、自偏置的带隙基准电压源电路。本电路用PTAT电流为内部运放提供电流偏置,省去了常规所需的运放电流偏置电路,降低了功耗,节省了芯片面积.利用Cadence的Spectre仿真结果显示,在-40～150℃范围内温度系数为4.69ppm/℃,电源抑制比达77dB.此电路可作为IP Core广泛应用于A/D、D/A、电源管理等芯片中的电压基准电路。

关键词： 带隙基准 低温漂 自偏置 电源抑制比 CMOS

作者: 汪洲 刘泰源 廖永波 李平

作者单位: 电子科技大学VLSI设计中心,成都,610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2006年度学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 76-79

在线出版日期: 2006-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）