控制有害气氛及多余物产生的密封工艺研究
半导体器件内部的多余有害气氛及多余物是影响其可靠性的主要原因之一,是军用元器件质量控制的重要因素,因此在半导体器件的生产上不仅需要关注器件封装的气密性,而且需要对器件内部多余气氛和多余物的产生进行有效的控制,而我国在器件封装等工艺质量方面存在较大的缺陷导致在这两项关键参数上与国外的同类产品有着极大的差距。本文通过理论结合实际的方式阐述了我们通过对封装的外部环境、内部环境、技术条件及装配工艺等多方面的配合调整及试验,最终用储能封焊的方式对使用T0-8型壳体半导体器件完成了封装,并成功的既保证了水汽含量在5000ppm以下又控制了封装过程中的多余物产生.
水汽含量 有害气氛 PIND 密封工艺 半导体器件
何伟 向秋澄
西南技术物理研究所,成都,610041
国内会议
成都
中文
21-23
2006-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）