一种基于GaN HEMT直流特性的SPICE宏模型

摘要：

本文提出了一种基于GaN HEMT直流特性的宏模型结构,考虑了GaN HEMT的栅极泄漏电流,并采用行为级模型来处理非线性电阻,详细介绍了宏模型建立的整个流程,并将此模型的仿真结果与实验数据进行比较,验证了模型的精度。

关键词： GaN HEMT 宏模型结构 栅极泄漏电流 非线性电阻 行为级模型

作者: 陈昭祥 杜江峰

作者单位: 电子科技大学,微电子与固体电子学院,成都,610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2006年度学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 18-20

在线出版日期: 2006-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）