阶梯厚度漂移区SOI新结构耐压分析

摘要：

本文提出了一种阶梯厚度漂移区SOI LDMOS新结构,此结构将漂移区分成厚度由源到漏依次增加不同的区域,利用阶梯型漂移区对电场的调制作用改善电场分布,从而提高器件击穿电压.仿真结果表明在埋氧层厚度1μm,漂移区厚度0.5μm时,该结构较常规SOI结构击穿电压提高了76％,比导通电阻降低了30％。

关键词： 阶梯厚度漂移区 SOI结构 表面电场 击穿电压 比导通电阻 LDMOS

作者: 杨寿国 罗小蓉 李肇基 张波

作者单位: 电子科技大学IC设计中心,成都,610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2006年度学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 14-17

在线出版日期: 2006-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）