超薄硅层REBULF LDMOS的工艺仿真和设计

摘要：

本文首先分析了影响REBULF LDMOS器件击穿电压、导通电阻和阈值电压的主要因数,然后利用二维工艺仿真软件TSUPREM4和二维器件仿真软件MEDICI设计了此器件,确定了器件的结构参数。通过对这些参数和电学特性的分析,进一步优化设计,最终得到器件的击穿电压为1145V,比导通电阻为784mΩ·cm2,阈值电压为0.95V,达到了设计要求。

关键词： 工艺仿真 LDMOS 器件模拟 击穿电压

作者: 黄勇光 段宝兴 罗萍

作者单位: 电子科技大学IC设计中心,成都,610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2006年度学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 10-13

在线出版日期: 2006-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）