薄外延P埋层双RESURF LDMOS仿真设计

摘要：

利用数值模拟仿真,本文设计了基于薄外延的P埋层双RESURF LDMOS.与传统单RESURF LDMOS相比,改善了器件的表面电场分布,降低了导通电阻,提高了器件的可靠性。并在标准CMOS工艺的基础上,仿真优化了900V高压工艺,省去了传统厚外延功率器件以及高压集成电路所必须的隔离扩散,减少了工艺步骤,与标准CMOS工艺更为兼容。

关键词： P埋层 薄外延 LDMOS RESURF 高压CMOS工艺

作者: 郑欣 方健

作者单位: 电子科技大学微电子与固体电子学院,四川,成都,610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2006年度学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 6-9

在线出版日期: 2006-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）