一种基于CMOS工艺的电流控制振荡器

摘要：

本文提出了一种基于标准CMOS工艺的低成本电流控制振荡器.该振荡器采用恒流源充放电技术,其振荡周期对于温度、电压,以及工艺偏差有较强的容忍能力。电路在输入电压2.7～5.5 V,温度范围-40～85 ℃,以及所有的工艺偏差情况下进行了Hspice验证,结果表明在最坏情况下,振荡器周期的最大偏差小于10％。

关键词： 电流控制 振荡器 CMOS工艺

作者: 胥锐 罗和平

作者单位: 电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 233-235

在线出版日期: 2007-11-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）