一种简单的高阶补偿带隙基准电压源
提出了一种结构简单的高精度CMOS基准电压源电路,与传统的带隙电压基准电路相比,只增加一个电阻和一组电流镜,产生含有高阶项的正温度系数电流对VBE的负温度系数补偿,从而得到高精度、低温漂的带隙基准电压源.采用MagnaChip0.5μm标准CMOS工艺,使用HSPICE仿真,在-40~125 ℃温度范围内,温度系数为2.335ppm/℃,电源抑制比65dB.
温度补偿 带隙基准 电压源
范伟力 李伊珂 罗和平
电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054
国内会议
成都
中文
225-228
2007-11-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)