一种基于1.5μm BJT工艺的硅基光电探测器设计

摘要：

本文在原有双极工艺的基础上设计了一种可集成的硅基光电探测器.对所提出的探测器进行理论分析,建立了可与双极工艺兼容的工艺制程。借助仿真器,分析表明：未添加增透膜,器件光敏面面积为800×1000μm2,在波长850nm的光照情况下,光电探测器的响应度为0.36A/W,-3dB带宽为50MHz.

关键词： 双极工艺 光电探测器 响应度

作者: 李珂 刘娟

作者单位: 电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 179-182

在线出版日期: 2007-11-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）