SiGe非选择性图形外延技术的实现与测试

摘要：

为解决SiGe BiCMOS高温工艺与低温工艺的兼容性问题,研究了一种基于MBE的SiGe非选择性图形外延技术,并进行了扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM),原子力显微镜(AFM)、X射线双晶衍射(XRD)与位错密度测试。测试结果表明,SiGe薄膜表面平均粗糙度为0.45nm,位错密度为0.3×103cm-2~1.2×103cm2,图形边界处薄膜生长均匀,阶梯结构层次明显,未出现位错堆积.该技术生长的SiGe薄膜满足SiGe BiCMOS制备要求。

关键词： 图形外延 薄膜生长 位错密度

作者: 周谦 韩春 李竞春

作者单位: 电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 29-33

在线出版日期: 2007-11-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）