界面氧化层与GaN肖特基二极管电特性相关性研究

摘要：

本文对不同浓度的n-GaN样品表面氧化层去除前后的肖特基接触的电学特性做了对比研究,通过对I-V,C-V特性的测量分析,量化了界面氧化层的存在对肖特基接触的电学性质的影响。实验发现氧化层的去除使肖特基接触的势垒高度降低0.05-0.1、eV,通过势垒降低量计算得到的氧化层的厚度约为0.5nm.在氧化层去除以后,相同电压条件下的正反向电流都有所增加,反向击穿电压降低为原来的50％左右,肖特基结的电容大约增加一倍.

关键词： 氧化层 势垒高度 二极管 肖特基接触 电学特性

作者: 于志伟 周伟 罗谦 杜江峰 靳翀 夏建新

作者单位: 电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 17-20

在线出版日期: 2007-11-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）